合肥微晶材料科技有限公司
企业简介

合肥微晶材料科技有限公司 main business:石墨烯薄膜、石墨烯粉剂、石墨烯制品及配件、原辅材料、新型碳材料以及其它新材料的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;纳米银线、微米银丝、纳米银颗粒、银制品、银复合材料、导电墨水、导电材料、防辐射材料、抗菌材料、导电膜、屏蔽膜、发热膜、散热膜的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;触摸屏、触摸传感器、电子元器件、晶体管的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;导电纺织品、抗菌纺织品、防静电纺织品的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;化工原料(除危险品)及产品的检测和分析;化工原料(除危险品)及产品、生产设备、检测设备、机械设备、机械配件、办公用品、劳保用品的代理和销售;健康产品、保健用品的销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家法律法规限定或者禁止的商品和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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合肥微晶材料科技有限公司的工商信息
  • 91340100060823607B
  • 91340100060823607B
  • 存续
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2013年1月9日
  • 吕鹏
  • 88.9万元
  • 2013年1月9日 至 2063年1月9日
  • 合肥市高新开发区市场监督管理局
  • 2016年9月21日
  • 合肥市高新区黄山路602号105室
  • 石墨烯薄膜、石墨烯粉剂、石墨烯制品及配件、原辅材料、新型碳材料以及其它新材料的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;纳米银线、微米银丝、纳米银颗粒、银制品、银复合材料、导电墨水、导电材料、防辐射材料、抗菌材料、导电膜、屏蔽膜、发热膜、散热膜的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;触摸屏、触摸传感器、电子元器件、晶体管的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;导电纺织品、抗菌纺织品、防静电纺织品的技术开发、技术咨询、技术服务、技术成果转让及销售;化工原料(除危险品)及产品的检测和分析;化工原料(除危险品)及产品、生产设备、检测设备、机械设备、机械配件、办公用品、劳保用品的代理和销售;健康产品、保健用品的销售;自营和代理各类商品及技术的进出口业务(国家法律法规限定或者禁止的商品和技术除外)。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动)
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网站 合肥微晶材料科技有限公司 · · 网址: www.hfweijing.cn
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合肥微晶材料科技有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 14499785 2014-04-30 直接邮件广告;广告宣传本的出版;广告材料分发;户外广告;市场营销;替他人推销;替他人采购(替其他企业购买商品或服务);拍卖;进出口代理;电话市场营销; 查看详情
2 14499884 VIGON TECHNOLOGIES 2014-04-30 替他人研究和开发新产品;物理研究;科学实验室服务;技术项目研究;提供关于碳抵消的信息、建议和咨询;技术研究;环境保护领域的研究;化学研究;化学分析;化学服务; 查看详情
3 14499634 VIGON TECHNOLOGIES 2014-04-30 工业硅;碳;结晶硅;工业用石墨;钙;干冰(二氧化碳);碳化钨;碳化铌;碳化物;活性炭; 查看详情
合肥微晶材料科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN104609413B 一种吨级生产石墨烯的类机械剥离装置及其生产方法 2016.08.24 本发明公开了一种吨级生产石墨烯的类机械剥离装置及其生产方法,其特征在于:装置由一级或多级剥离设备串联
2 CN105702381A 一种高度稳定的银纳米线复合薄膜的封装制备方法 2016.06.22 本发明公开了一种高度稳定的银纳米线复合薄膜的封装制备方法,其特征在于:首先将银纳米线分散液涂覆在基底
3 CN106098147A 一种油性导电银浆及其制备方法 2016.11.09 本发明公开了一种油性导电银浆及其制备方法,其各原料按质量份的构成为:银粉10~30份、银纳米线5~1
4 CN106502020A 一种可控导电调光结构及其制作方法 2017.03.15 本发明公开了一种可控导电调光结构及其制作方法,该结构包括两透明基底、一封闭式框胶和一液晶功能层;封闭
5 CN105014095B 一种微波醇还原制备银纳米线的方法 2017.02.01 本发明公开了一种微波醇还原制备银纳米线的方法,包括如下步骤:将银离子无机盐、保护剂及表面活性剂混合均
6 CN106001544A 一种通过沉降分离提纯银纳米线的方法 2016.10.12 本发明公开了一种通过沉降分离提纯银纳米线的方法,其特征在于:将采用多元醇方法合成的银纳米线母液均匀分
7 CN106001601A 一种表面改性的银纳米线导电液及其制备方法 2016.10.12 本发明公开了一种表面改性的银纳米线导电液及其制备方法,其组成为:银纳米线、改性银纳米颗粒、分散剂、流
8 CN105810294A 一种水性导电银浆及其制备方法 2016.07.27 本发明公开了一种水性导电银浆及其制备方法,其各原料按质量百分比的构成为:银粉40~60份、银纳米线1
9 CN105568270A 一种银纳米线焊接液及焊接成膜方法 2016.05.11 本发明公开了一种银纳米线焊接液及焊接成膜方法,其特征在于:焊接液是以银源和还原剂为溶质、以醇为溶剂的
10 CN105514066A 一种石墨烯复合红外辐射导热膜及其制作方法 2016.04.20 本发明公开了一种石墨烯复合红外辐射导热膜及其制作方法,其特征在于:是在基底上设置有石墨烯复合红外辐射
11 CN105014095A 一种微波醇还原制备银纳米线的方法 2015.11.04 本发明公开了一种微波醇还原制备银纳米线的方法,包括如下步骤:将银离子无机盐、保护剂及表面活性剂混合均
12 CN104998746A 一种通过水力旋流器分离银纳米线的方法 2015.10.28 本发明公开了一种通过水力旋流器分离银纳米线的方法,该方法是通过将含有银纳米线的母液按照水力旋流器的进
13 CN103361068B 一种金属箔基底石墨烯刻蚀液及其刻蚀方法 2015.10.21 本发明公开了一种金属箔基底石墨烯刻蚀液及其刻蚀方法,其特征是:刻蚀液是按如下步骤进行配置的过硫酸铵的
14 CN104962919A 一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法 2015.10.07 本发明公开了一种银纳米线的刻蚀液及刻蚀方法,该刻蚀液包括硝酸1~30份、氨水1~30份、去离子水60
15 CN103332682B 一种用屏幕膜和覆膜机叠加转移大面积石墨烯的方法 2015.08.19 本发明公开了一种用屏幕膜和覆膜机叠加转移大面积石墨烯的方法,其特征在于:用覆膜机将屏幕膜粘附在铜箔上
16 CN204454597U 一种吨级生产石墨烯的类机械剥离装置 2015.07.08 本实用新型公开了一种吨级生产石墨烯的类机械剥离装置,其特征在于:装置由一级或多级剥离设备串联构成;剥
17 CN104609413A 一种吨级生产石墨烯的类机械剥离装置及其生产方法 2015.05.13 本发明公开了一种吨级生产石墨烯的类机械剥离装置及其生产方法,其特征在于:装置由一级或多级剥离设备串联
18 CN103342356B 一种金属箔基底石墨烯的转移方法 2015.04.08 本发明公开了一种金属箔基底石墨烯的转移方法,其特征是:在石墨烯表面旋涂保护胶,在石墨烯的表面形成保护
19 CN103318881B “泡取式”石墨烯的制备及使用方法 2015.04.08 本发明公开了一种“泡取式”石墨烯的制备及使用方法,其特征在于:在对金属箔基底石墨烯的金属箔基底进行刻
20 CN103332683B 一种石墨烯的存放方法 2014.12.03 本发明公开了一种石墨烯的存放方法,其特征在于:以悬空结构基底作为存放载体,将石墨烯存放到悬空结构基底
21 CN203440085U 一种用于生长石墨烯的高温管式炉 2014.02.19 本实用新型公开了一种用于生长石墨烯的高温管式炉,包括炉体和炉管,炉体由上炉体和下炉体扣合形成管状腔体
22 CN203360006U 一种改进石墨烯平整度的石英载体 2013.12.25 本实用新型公开了一种改进石墨烯平整度的石英载体,其特征是:石英载体是承载金属箔置于真空管式炉中的以石
23 CN103361068A 一种金属箔基底石墨烯刻蚀液及其刻蚀方法 2013.10.23 本发明公开了一种金属箔基底石墨烯刻蚀液及其刻蚀方法,其特征是:刻蚀液是按如下步骤进行配置的过硫酸铵的
24 CN103342356A 一种金属箔基底石墨烯的转移方法 2013.10.09 本发明公开了一种金属箔基底石墨烯的转移方法,其特征是:在石墨烯表面旋涂保护胶,在石墨烯的表面形成保护
25 CN103343328A 一种正压条件下合成石墨烯的方法 2013.10.09 本发明公开了一种正压条件下合成石墨烯的方法,其特征在于:石墨烯在化学气象沉积系统的反应腔内生长,生长
26 CN103332682A 一种用屏幕膜和覆膜机叠加转移大面积石墨烯的方法 2013.10.02 本发明公开了一种用屏幕膜和覆膜机叠加转移大面积石墨烯的方法,其特征在于:用覆膜机将屏幕膜粘附在铜箔上
27 CN103332683A 一种石墨烯的存放方法 2013.10.02 本发明公开了一种石墨烯的存放方法,其特征在于:以悬空结构基底作为存放载体,将石墨烯存放到悬空结构基底
28 CN103318881A “泡取式”石墨烯的制备及使用方法 2013.09.25 本发明公开了一种“泡取式”石墨烯的制备及使用方法,其特征在于:在对金属箔基底石墨烯的金属箔基底进行刻
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